一种N型背结晶体硅电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种N型背结晶体硅电池及其制备方法，该电池包括前表面Ag电极、前表面减反射膜、磷扩散N+前表面场层、N型基底、硼扩散发射极P+层、背面钝化复合膜、背面AgAl电极；其中，PN结位于电池背面，电池背面采用抛光结构；背面钝化复合膜包括硼硅玻璃层和氮化硅层，硼硅玻璃层在硼扩散发射极P+层之上，氮化硅层则沉积在硼硅玻璃层上；利用硼扩散过程中生成的硼硅玻璃层和氮化硅叠层薄膜结构对硼发射极进行钝化，背面采用抛光结构，进一步提升硼发射极的钝化效果；本发明电池的制备工艺较为简单，能够与当前晶体硅电池制造生产线设备兼容，可降低成本，适于大规模工业化生产。

主权项

一种N型背结晶体硅电池，包括前表面Ag电极、前表面减反射膜、磷扩散N+前表面场层、N型基底、硼扩散发射极P+层、背面钝化复合膜、背面AgAl电极，其特征在于：PN结位于电池背面，电池背面采用抛光结构；所述背面钝化复合膜包括一层氧化处理的硼硅玻璃层和一层氮化硅层，硼硅玻璃层在硼扩散发射极P+层之上，氮化硅层则沉积在硼硅玻璃层上。