| 发明名称 |
- - TIN AND TIN-ZINC PLATED SUBSTRATES TO IMPROVE NI-ZN CELL PERFORMANCE |
| 摘要 |
주석 또는 주석과 아연으로 도금된 음극 기판을 가지는 개선된 Ni-Zn 셀이 제조 동안 감소된 가스발생률을 가진다. 구리 또는 황동 기판은 전해세척되고, 활성화되고, 무광택 표면으로 한정된 두께 범위까지 전기도금되고, 산화아연 전기화학적 활물질이 도포되고, 베이킹된다. 40-80 μIn의 한정된 도금 두께 범위는 도금층 아래로부터 표면으로의 구리 확산 억제에 도움을 주는 금속간 화합물 CuSn의 형성을 최대화하고, 베이킹 동안 금속간 화합물 CuSn의 형성을 억제하여 배터리 작동 동안 적절한 부식 저항성을 제공한다. |
| 申请公布号 |
KR101571909(B1) |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
| 申请号 |
KR20107007621 |
申请日期 |
2008.09.30 |
| 申请人 |
파워지닉스 시스템즈, 인코포레이티드 |
发明人 |
펭, 펭;필립스, 제프리;모한타, 사마레쉬;바톤, 제프;문타세르, 제이아드, 엠. |
| 分类号 |
C25D3/60;H01M4/26;H01M4/66;H01M10/30 |
主分类号 |
C25D3/60 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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