发明名称 |
CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器,其镀铝金属化膜设置为一对单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT。本实用新型将CL21X型电容器的10μm单留边聚酯金属化膜ATT该进成3.8μm或4.8μm单留边且中留边的单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT,在容量相同的情况下,卷绕的圈数则增大三倍,镀层与喷金的接触损耗也小三倍,减小了电容器的损耗角正切值,焊接引线时,焊接电流对端面损耗的影响也大幅度减小。电容器损耗角正切值小且不易变。解决了液晶电视机反激变换器RCD吸收电容器脚距小(P=5mm)、容量小(0.0022μF至0.0047μF)并且额定电压高(630VDC)的要求。 |
申请公布号 |
CN204809041U |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201520472429.0 |
申请日期 |
2015.06.30 |
申请人 |
深圳市深峰电子有限公司 |
发明人 |
李新安 |
分类号 |
H01G4/33(2006.01)I;H01G4/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/33(2006.01)I |
代理机构 |
深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 |
代理人 |
朱业刚;谭果林 |
主权项 |
一种CL83型耐高电压超小型金属化聚脂膜电容器,其特征在于:其镀铝金属化膜设置为一对宽度4.5mm单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT;每一单面镀铝三串结构聚酯金属化膜ATMT的厚度为3.8μm或4.8μm;其电容器容量范围为0.0022μF至0.0047μF、脚距为P=5mm、额定电压最高为630VDC。 |
地址 |
518000 广东省深圳市龙岗区龙岗街道南约社区宝南工业区7号厂房2-4楼 |