用于制造半导体设备的方法

摘要

本发明的目的在于提供一种半导体装置的结构及其制造方法，其中在电路群中，形成被要求高速工作和低电压工作的电路与被要求当施加高电压时的充分可靠性的电路。在半导体装置中，在同一衬底上具有多种包括从单晶半导体衬底分离且接合的厚度不同的单晶半导体层的晶体管。使被要求高速工作的晶体管的单晶半导体层的厚度比被要求对电压的高耐压性的晶体管的单晶半导体层的厚度薄。

主权项

一种用于制造半导体设备的方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一半导体衬底中形成第一分离层，而在第二半导体衬底中形成第二分离层，所述第一分离层在所述第一半导体衬底中所处的深度不同于所述第二分离层在所述第二半导体衬底中所处的深度；将所述第一半导体衬底以及所述第二半导体衬底与支撑衬底接合；对所述第一分离层上的所述第一半导体衬底进行剥离以在所述支撑衬底上形成第一单晶半导体层，并对所述第二分离层上的所述第二半导体衬底进行剥离以在所述支撑衬底上形成第二单晶半导体层，其中所述第一单晶半导体层比所述第二单晶半导体层薄；对所述第一单晶半导体层和所述第二单晶半导体层进行处理以分别形成第一岛状半导体层和第二岛状半导体层；在所述第一岛状半导体层上形成第一栅绝缘膜并在所述第二岛状半导体层上形成第二栅绝缘膜；在所述第一岛状半导体层和所述第二岛状半导体层的每一个上形成栅极；引入杂质元素以在所述第一岛状半导体层和所述第二岛状半导体层的每一个中形成杂质区域；形成电连接到所述杂质区域的每一个的电极。