一种MLC存储单元的编程方法和装置

摘要

本发明提供了一种MLC存储单元的编程方法和装置，所述存储单元存储N位数据，共有2^N种数据状态，所述方法包括：验证所述存储单元的阈值电压是否位于与待编程的数据状态相对应的目标阈值电压范围内；若是，结束对存储单元的编程；若否，则执行阈值电压抬升步骤：通过对所述存储单元施加第n编程校验电压，将存储单元的阈值电压抬升至第n+1目标阈值电压范围，所述第n+1目标阈值电压范围与当前数据状态的下一相邻数据状态相对应；之后返回阈值电压的验证步骤；其中，n的初始值为1，每当返回到阈值电压的验证步骤，n的取值递加1，n的最大取值为2^N-1。通过本发明，提高了编程的精准度。

主权项

一种MLC存储单元的编程方法，所述存储单元存储N位数据，共有2^N种数据状态，其特征在于，所述2^N种数据状态对应2^N个目标阈值电压范围，N的取值越大，各个目标阈值电压范围之间的间隔就越小，包括：验证所述存储单元的阈值电压是否位于与待编程的数据状态相对应的目标阈值电压范围内；若是，结束对存储单元的编程；若否，则执行阈值电压抬升步骤：通过对所述存储单元施加第n编程校验电压，将存储单元的阈值电压抬升至第n+1目标阈值电压范围，所述第n+1目标阈值电压范围与当前数据状态的下一相邻数据状态相对应；之后返回阈值电压的验证步骤；其中，所述存储单元均从擦除状态开始编程，对其执行阈值电压抬升步骤，使其达到当待编程的数据状态；所述擦除状态对应第一目标阈值电压范围；在阈值电压的抬升过程中，所施加的编程校验电压满足：编程校验电压与目标阈值电压的差值逐渐降低；所施加的第n编程校验电压大于第n+1目标阈值电压范围的上限，且小于第n+2目标阈值电压范围的下限；其中，n的初始值为1，每当返回到阈值电压的验证步骤，n的取值递加1，n的最大取值为2^N‑1。