发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件

摘要

本发明提出一种发射辐射的半导体本体（14），所述半导体本体除了带有适合产生电磁辐射的有源区（4）的外延的半导体层序列（3）之外具有承载层，所述承载层设置成机械地稳固外延的半导体层序列（3）。此外，半导体本体（14）具有接触结构（9，91）以用于电接触半导体本体（14），所述接触结构分别具有体积区域（12）和表面接合区域（13），其中表面接合区域由与体积区域（12）的材料不同的材料形成。此外，提出一种用于制造这种半导体本体（14）和带有这种半导体本体（14）的器件的方法。

主权项

发射辐射的半导体本体(14)，带有：‑外延的半导体层序列(3)，所述外延的半导体层序列带有适合产生电磁辐射的有源区(4)，‑承载层(1)，所述承载层设置成机械地稳固所述外延的半导体层序列(3)，其中所述承载层具有金属的材料，和‑接触结构(9，91)，所述接触结构用于电接触所述半导体本体(14)，所述接触结构分别具有体积区域(12)和表面接合区域(13)，其中所述表面接合区域(13)由与所述体积区域(12)的材料不同的材料形成，其中所述外延的半导体层序列(3)设置在所述承载层(1)的第一主侧(2)上，并且所述接触结构(9)设置在所述承载层(1)的与所述第一主侧(2)相对置的第二主侧(6)上。