发明名称 用于低磁场NMR测量的电磁体及其制造方法
摘要 本发明涉及一种电磁体及其制造方法。所述电磁体包括:框架(1),其内具有容积(4);以及导电布线(7),围绕框架(1)而卷绕。根据本发明,所述磁体包括:至少两个环形槽(5),具有两个彼此平行并垂直于该框架的纵轴的壁;至少两个布线堆叠(7),每一个布线堆叠(7)包括至少一个子堆叠(7a,7b),其中该布线具有截面;至少一个所述壁(6),隔开所述两个环形槽(5);以及跳线(10),对所述堆叠进行互连,使相邻堆叠的跳线(10)对轴向方向总电流的影响被回流布线的电流平均抵消,从而使它们对在该样品容积处所得到的磁场的影响最小化。
申请公布号 CN103189938B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201180046111.0 申请日期 2011.09.22
申请人 维美德自动化有限公司 发明人 S·维尔塔伦;亚尼·帕卡里宁
分类号 H01F7/06(2006.01)I;G01R33/28(2006.01)I 主分类号 H01F7/06(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 章侃铱;张浴月
主权项 一种电磁体,包括:框架(1),其内具有容积(4);以及导电布线(7),围绕框架(1)而卷绕,其特征在于还包括,‑至少两个环形槽(5),具有两个彼此平行并垂直于该框架的纵轴的壁;‑至少两个布线堆叠(7),每一个布线堆叠(7)包括至少一个子堆叠(7a,7b),其中该布线具有截面;‑至少一个所述壁(6),隔开所述两个环形槽(5);以及‑跳线(10),对所述堆叠进行互连,使得相邻的堆叠的跳线(10)对轴向方向总电流的影响被回流布线的电流平均抵消,从而使对在样品容积处所得到的磁场的影响最小化。
地址 芬兰万塔