改善GP CMOS器件的电性参数均一性的方法

摘要

本发明涉及一种改善GP CMOS器件的电性参数均一性的方法，应用于采用应力记忆技术的半导体器件制备工艺中，其中，所述方法包括：提供一表面设置有栅极结构的衬底，且该衬底中临近所述栅极结构的两侧设置有漏区和源区；制备缓冲层覆盖所述栅极结构的表面和所述衬底暴露的表面；制备应力层覆盖所述缓冲层的表面；对所述应力层进行刻蚀，以部分保留覆盖于所述栅极结构表面的应力层；采用峰值退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理；去除剩余的应力层；采用激光退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理，以阻止所述源区和漏区中的离子进一步扩散。采用本发明方法所制备的GP CMOS具有稳定的饱和电流和阈值电压。

主权项

一种改善GP CMOS器件的电性参数均一性的方法，应用于采用应力记忆技术的半导体器件制备工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一表面设置有栅极结构的衬底，且该衬底中临近所述栅极结构的两侧设置有漏区和源区；制备缓冲层覆盖所述栅极结构的表面和所述衬底暴露的表面；制备应力层覆盖所述缓冲层的表面，其中，所述缓冲层的材质为二氧化硅；对所述应力层进行刻蚀，以部分保留覆盖于所述栅极结构表面的应力层；采用峰值退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理；去除剩余的应力层；采用激光退火工艺对所述衬底和栅极进行热处理，以阻止所述源区和漏区中的离子进一步扩散，其中，对所述应力层进行刻蚀具体包括：涂覆光刻胶覆盖所述应力层的上表面；采用一定义了应力记忆区域的掩膜板对所述光刻胶进行光刻工艺，形成光阻图案；以所述光阻图案为掩膜对所述应力层进行刻蚀，且刻蚀停止于所述缓冲层中；移除所述光阻图案。