发明名称 一种改性光缆绕线盘及其制备方法
摘要 本发明公开了一种改性光缆绕线盘及其制备方法。改性光缆绕线盘是采用纳米技术用改性纳米氮化硅晶须对普通工程塑料尼龙6进行技术处理,改性后的尼龙6具有增强、增韧、抗10年老化的特点。由改性后的尼龙6工程塑料经过注塑成型的绕线盘具能够负载500公斤光缆并且在1.6米处跌落盘具不开裂、不变形、在零下40度和零上70度之间各种性能无改变,可循环使用10次以上等指标。
申请公布号 CN103289371B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201310038371.4 申请日期 2013.02.01
申请人 中国移动通信集团安徽有限公司;合肥开尔纳米能源科技股份有限公司 发明人 温雪;张芬红
分类号 C08L77/02(2006.01)I;C08K13/06(2006.01)I;C08K9/04(2006.01)I;C08K9/02(2006.01)I;C08K7/10(2006.01)I;B29B9/06(2006.01)I;B29C45/00(2006.01)I 主分类号 C08L77/02(2006.01)I
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人 何梅生
主权项 一种改性光缆绕线盘材料,其特征在于其原料按质量百分比构成为:<img file="FDA0000718759240000011.GIF" wi="958" he="403" />所述改性纳米氮化硅晶须是按以下方法改性后得到的改性纳米氮化硅晶须:1)将纳米氮化硅晶须浸入质量浓度≥60%的硝酸溶液中,所述硝酸溶液与所述纳米氮化硅晶须的质量比大于3:1,于80‑125℃反应12‑72小时,反应结束后用蒸馏水洗涤至中性,真空干燥后得到羧基化纳米氮化硅;2)将二氯亚砜与所述羧基化纳米氮化硅混合,其中二氯亚砜的质量不少于所述羧基化纳米氮化硅质量的四倍,于50‑90℃反应12‑48小时,反应结束后用无水四氢呋喃洗涤至中性,真空干燥后得到酰氯化纳米氮化硅;3)将所述酰氯化纳米氮化硅、十八烷基胺和苯以质量比1:(5‑15):(5‑20)的比例混合,于50‑80℃反应12‑36小时,反应结束后用无水四氢呋喃洗涤至中性,真空干燥后得到改性纳米氮化硅晶须。
地址 230061 安徽省合肥市长江西路99号