去夹持的方法和系统

摘要

提供了一种用于在等离子体处理系统中使衬底从静电卡盘（ESC）去夹持的方法。该方法包括使第一气体流到等离子体室中。该方法还包括使第二气体流至衬底的背面以在所述背面下方产生第二气体的高压积聚。该方法进一步包括减少第二气体的流使得至少一部分困于衬底背面下方。该方法还包括对等离子体室抽气以增大在存在于衬底背面下方的第一压强和存在于衬底上方的区域中的第二压强之间的压差，其中所述压差使得衬底能够自ESC抬升。该方法还包括从ESC移除衬底。

主权项

一种用于在等离子体处理系统中使衬底从静电卡盘(ESC)去夹持的方法，其包括：使第一气体流到所述等离子体处理系统的等离子体室中；使第二气体流到所述衬底的背面以在所述背面下方产生所述第二气体的高压积聚；减少所述第二气体的流使得所述第二气体的至少一部分被困在所述衬底的所述背面下方；对所述等离子体室抽气以增大第一压强和第二压强之间的压差，其中所述第一压强是存在于所述衬底的所述背面下方的压强而所述第二压强是存在于所述衬底上方的区域中的压强，其中所述压差使得所述衬底能够从所述ESC被抬升；从所述ESC移除所述衬底，且还包括在不使用RF功率的情况下形成局部化等离子体，从而释放在至少所述衬底和所述ESC之一上的残留电荷，其中所述局部化等离子体由所述残留电荷和困在所述衬底的所述背面下方的至少所述第二气体形成，其中所述释放使电弧减到最少。