发明名称 半导体发光器件
摘要 本发明公开了一种半导体发光器件,包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片,该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联,并且至少在相邻半导体发光芯片之间的透明基材上开设有至少用以使射入所述透明基材的至少部分光线自透明基材中射出的凹槽。所述凹槽优选为V型槽。本发明可有效提升半导体发光器件的有效出光面积,大幅提高出光效率。
申请公布号 CN105098021A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410203893.X 申请日期 2014.05.15
申请人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明人 梁秉文
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人 王锋
主权项 一种半导体发光器件,其特征在于包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片,该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联,并且至少在相邻半导体发光芯片之间的透明基材上开设有至少用以使射入所述透明基材的至少部分光线自透明基材中射出的凹槽。
地址 215000 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号