发明名称 一种DSOI应变计及其制作方法
摘要 本发明公开了一种DSOI应变计及其制作方法,包括应变计,应变计包括衬底层和器件薄膜层,所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离,器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅,每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成,衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。该结构减少了电泄漏,提高了传感器的工作温度范围,同时衬底层底部的绝缘膜基底把整个应变计连成一片,既保证了电阻敏感栅中电阻条的相对位置不发生变化,减小全桥电路的失调电压,又防止了玻璃胶中的有害杂质直接与衬底层、弹性膜接触,提高了应变计与弹性膜之间的绝缘耐压性能。
申请公布号 CN105091730A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510395248.7 申请日期 2015.07.03
申请人 新会康宇测控仪器仪表工程有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 发明人 沈绍群;罗小勇;梁栋汉
分类号 G01B7/16(2006.01)I 主分类号 G01B7/16(2006.01)I
代理机构 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人 冯剑明
主权项 一种DSOI应变计,其特征在于:包括应变计,应变计包括衬底层和器件薄膜层,所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离,器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅,每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成,衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。
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