电容参数提取方法

摘要

一种电容参数提取方法，该方法采用边界元宏模型结构，能够处理3D结构模型。该方法用可以伸缩的空白局部区域将集成电路子结构的宏模型内部的马尔科夫随机行走与外部的悬浮随机行走结合起来。该方法只需要对集成电路中很小一部分的子结构建立宏模型，从而减少了内存消耗，提高了电容参数提取速度。

主权项

一种电容参数提取方法，运行于计算设备中，用于对集成电路提取互连电容参数，其特征在于，该方法包括：(a)对于单位长度的立方体转移区域加载预先计算的转移概率表和权重表；(b)对于标准的空白局部区域构建宏模型，计算所述标准的空白局部区域的边界电势电量矩阵，加载所述标准的空白局部区域的边界电势电量矩阵中的一列；(c)对于给定的集成电路子结构构建宏模型，计算该集成电路子结构的边界电势电量矩阵；(d)判断主导体i是否在集成电路子结构的宏模型内，若主导体i在集成电路子结构的宏模型内，执行步骤(f)；(e)若主导体i不在集成电路子结构的宏模型内，构建包围主导体i的高斯面；(f)将主导体i与每个环境导体之间的耦合电容主导体i的主电容C_ii及随机行走步数npath初始化为0；(g)计算随机行走步数npath，npath:＝npath+1；(h)判断主导体i是否在集成电路子结构的宏模型内；(i)若主导体i不在集成电路子结构的宏模型内，在包围主导体i的高斯面上任取一点r，以点r为中心构建一个立方体转移区域，根据加载的转移概率表在该立方体转移区域的表面S上以相应的转移概率任意取一点r⁽¹⁾，根据加载的权重表获取点r⁽¹⁾处的权值ω(r,r⁽¹⁾)，对权值赋值ω:＝ω(r,r⁽¹⁾)；(j)若主导体i在集成电路子结构的宏模型内，采用马尔科夫随机行走方法进行跳转，根据集成电路子结构的边界电势电量矩阵获取主导体i对应的主对角元素对权值赋值(k)判断随机行走当前点r_x是否在导体上；(l)若随机行走当前点r_x不在导体上，则：(l1)若随机行走当前点r_x在集成电路子结构的宏模型的外部，则把集成电路子结构的宏模型作为障碍构建立方体转移区域，采用悬浮随机行走方法跳转到下一点r_y；(l2)若随机行走当前点r_x在集成电路子结构的宏模型的交界面上，则根据马尔科夫随机行走方法跳转到下一点r_y；(l3)若随机行走当前点r_x在集成电路子结构的宏模型的边界上且不在集成电路子结构的宏模型的交界面上，则根据所述标准的空白局部区域构建实际的空白局部区域，采用马尔科夫随机行走方法跳转到所述实际的空白局部区域上的下一点r_y；(m)更新随机行走当前点r_x，r_x:＝r_y，返回步骤(k)；(n)若随机行走当前点r_x在导体j上，计算主导体i与导体j之间的耦合电容C_ij，C_ij＝C_ij+ω；(o)判断是否满足收敛条件，若不满足收敛条件，返回步骤(g)；及(p)若满足收敛条件，计算主导体i与各个环境导体j之间的耦合电容C_ij(i≠j)及主导体i的主电容C_ii，其中$C_{ii}:=-{\Sigma }_{j\ne i}{C}_{ij}.$