| 发明名称 | 异向性磁阻组件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种异向性磁阻组件，其包括基板、内联机结构与磁阻材料层。内联机结构是位于该基板上且包括多个金属内联机层，磁阻材料层是位于该内联机结构上方，其中该多个金属内联机层中的最上层金属内联机层包括一导电性分流结构，此导电性分流结构未经由导电性插塞而与该磁阻材料层实体连接。 | ||
| 申请公布号 | CN105098059A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410400630.8 | 申请日期 | 2014.08.15 |
| 申请人 | 宇能电科技股份有限公司 | 发明人 | 刘富台;李干铭 |
| 分类号 | H01L43/02(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人 | 史霞 |
| 主权项 | 一种异向性磁阻组件，包括：基板；内联机结构，位于该基板上且包括多个金属内联机层；磁阻材料层，位于该内联机结构上方，其中该多个金属内联机层中最上层的金属内联机层包括一导电性分流结构，此导电性分流结构未经导电性插塞而与该磁阻材料层实体连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县竹北市台元一街1号6楼之1 | ||