| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干凸起的分立的鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面并且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述鳍部上形成保护层，用于使鳍部与外界隔离，并且所述保护层的材料与隔离层的材料不同；在所述保护层表面形成覆盖部分鳍部的掩膜层，所述保护层在形成掩膜层的过程中保护鳍部表面不受损伤；对未被掩膜层覆盖的鳍部进行离子注入。上述方法在可以在形成掩膜层的过程中保护鳍部，使鳍部表面不受损伤，从而提高最终形成的鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105097495A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410195973.5 | 申请日期 | 2014.05.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 丁士成 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成若干凸起的分立的鳍部；在所述半导体衬底上形成隔离层，所述隔离层的表面低于鳍部的顶部表面并且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述鳍部上形成保护层，用于使鳍部与外界隔离，并且所述保护层的材料与隔离层的材料不同；在所述保护层表面形成覆盖部分鳍部的掩膜层，所述保护层在形成掩膜层的过程中保护鳍部表面不受损伤；对未被掩膜层覆盖的鳍部进行离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||