| 发明名称 | 具电阻性元件的非易失性存储器与其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器，包括：一基板；一鳍状结构，凸出于该基板，且该鳍状结构中具有一第一源/漏极区域与一第二源/漏极区域；一栅极结构，覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面，且该栅极结构位于该第一源/漏极区域与该第二源/漏极区域之间；一过渡层，接触于该第二源/漏极区域；以及一金属层，接触于该过渡层。 | ||
| 申请公布号 | CN105097864A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410250984.9 | 申请日期 | 2014.06.06 |
| 申请人 | 林崇荣 | 发明人 | 林崇荣 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 王芝艳;邹宗亮 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器，包括：一基板；一鳍状结构，凸出于该基板，且该鳍状结构中具有一第一源/漏极区域与一第二源/漏极区域；一栅极结构，覆盖于该鳍状结构的上方以及二侧表面，且该栅极结构位于该第一源/漏极区域与该第二源/漏极区域之间；一过渡层，接触于该第二源/漏极区域；以及一金属层，接触于该过渡层；其中，该过渡层可以被设定或重置，用以改变该过渡层的电阻值。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||