发明名称 DUAL-PORT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY(SRAM)
摘要 일 실시예에서, 데이터를 저장하기 위한 메모리 셀 회로는 메모리 셀 회로의 상태들을 저장하기 위한 한 쌍의 교차 결합된 인버터들을 포함한다. 액세스 디바이스들이 한 쌍의 교차 결합된 인버터들에 대한 액세스를 제공한다. 메모리 셀 회로는 한 쌍의 교차 결합된 인버터들에 결합되는 전기적 비활성 p형 금속 산화물 반도체(PMOS) 디바이스들의 세트를 또한 포함한다. 전기적 비활성 PMOS 디바이스들의 세트는, 한 쌍의 교차 결합된 인버터들의 일부(예를 들어, PMOS 디바이스들)와 결합하여, 메모리 셀 회로에 대한 연속적인 p형 확산 층을 가능하게 한다.
申请公布号 KR20150132104(A) 申请公布日期 2015.11.25
申请号 KR20157021845 申请日期 2014.02.27
申请人 INTEL CORP. 发明人 KOLAR PRAMOD;PANDYA GUNJAN H.;BHATTACHARYA UDDALAK;GUO ZHENG
分类号 G11C11/412;G11C8/16 主分类号 G11C11/412
代理机构 代理人
主权项
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