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다층 반도체 디바이스를 형성하는 방법, 다층 반도체 디바이스를 포함하는 장치 및 시스템이 개시된다. 하나의 이러한 방법에서, 반도체 물질층과 유전체층에 개구가 형성된다. 개구에 의해 노출된 반도체 물질층의 일부가 상기 층의 나머지 반도체 물질과는 다르게 도핑되도록 처리된다. 상기 층의 나머지 반도체 물질의 적어도 실질적으로 모든 부분이 제거되어 전하 저장 구조로 반도체 물질층의 다르게 도핑된 부분을 남긴다. 상기 전하 저장 구조의 제1 표면 위에 터널링 유전체가 형성되고, 전하 저장 구조의 제2 표면 위에 게이트간 유전체가 형성된다. 추가적인 실시예가 더 개시된다. |
