绝缘栅双极晶体管

摘要

绝缘栅双极晶体管。根据本发明的一个示例，半导体部件包括半导体本体，其具有顶表面和底表面。第一pn结形成在体区和漂移区之间的过渡处。场截止区被布置在漂移区下面并邻接漂移区。利用与漂移区相同掺杂类型的掺杂剂来掺杂场截止区。然而，场截止区中的掺杂剂的浓度高于漂移区中的掺杂剂的浓度。由第一和第二半导体层构成的至少一对半导体层被布置在漂移区中。第一半导体层基本平行于半导体本体的顶表面延伸并用第一掺杂类型的掺杂剂掺杂，但是具有高于漂移区的掺杂剂浓度。第二半导体层被布置成邻近或者邻接第一半导体层并且用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂。此外，第二半导体层被结构化成包括开口，使得通过漂移区提供垂直电流路径而没有居间pn结。

主权项

一种半导体部件，包括：具有顶表面和底表面的半导体本体；利用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂的体区，所述体区被布置在半导体本体的顶表面处；布置在体区下面的漂移区，所述漂移区用与第二掺杂类型互补的第一掺杂类型的掺杂剂掺杂，由此在体区和漂移区之间的过渡处形成第一pn结；布置在漂移区下面并邻接漂移区的场截止区，所述场截止区用与漂移区相同掺杂类型的掺杂剂掺杂，并且场截止区中的掺杂剂的浓度高于漂移区中的掺杂剂的浓度；和布置在漂移区中的由第一和第二半导体层构成的至少一对半导体层，所述第一半导体层基本平行于半导体本体的顶表面延伸并用第一掺杂类型的掺杂剂掺杂，但是具有高于漂移区的掺杂剂浓度，所述第二半导体层邻近或者邻接第一半导体层并且用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂，所述第二半导体层被结构化成包括开口，使得通过漂移区提供垂直电流路径而没有居间pn结。