| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述衬底表面具有覆盖鳍部部分侧壁的介质层，所述介质层表面低于鳍部的顶部表面，所述鳍部的侧壁和顶部表面、以及介质层表面具有横跨所述鳍部的栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，所述凹槽底部低于所述介质层表面；以所述栅极结构为掩膜，刻蚀所述介质层，使所述介质层的厚度减小预设尺寸；在形成凹槽并刻蚀介质层之后，采用外延沉积工艺在凹槽底部的鳍部表面、以及介质层表面形成应力层。所形成的半导体器件性能改善。 | ||
| 申请公布号 | CN105097522A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410184447.9 | 申请日期 | 2014.05.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有鳍部，所述衬底表面具有覆盖鳍部部分侧壁的介质层，所述介质层表面低于鳍部的顶部表面，所述鳍部的侧壁和顶部表面、以及介质层表面具有横跨所述鳍部的栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽，所述凹槽底部低于所述介质层表面；以所述栅极结构为掩膜，刻蚀所述介质层，使所述介质层的厚度减小预设尺寸；在形成凹槽并刻蚀介质层之后，采用外延沉积工艺在凹槽底部的鳍部表面、以及介质层表面形成应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||