发明名称 |
一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构 |
摘要 |
本发明提供一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构,所述防止曝光系统中半影入射光掩模的方法至少包括步骤:提供一下表面具有掩模图案的光掩模,在所述光掩模的上表面边缘设置第一遮光层,以阻挡面光源在光掩模上形成的半影。本发明的方法通过在光掩模的上表面边缘设置第一遮光层,确保将面光源形成的半影阻挡在光掩模表面之上,一方面可以避免半影入射光掩模引起杂散光而使光掩模发热,另一方面可以避免半影曝光到晶圆上,影响晶圆曝光质量。 |
申请公布号 |
CN105093838A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201410193657.4 |
申请日期 |
2014.05.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
刘洋 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法,其特征在于,所述防止曝光系统中半影入射光掩模的方法至少包括:提供一下表面具有掩模图案的光掩模,在所述光掩模的上表面边缘设置第一遮光层,以阻挡面光源在光掩模上形成的半影。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |