发明名称 一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构
摘要 本发明提供一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法及结构,所述防止曝光系统中半影入射光掩模的方法至少包括步骤:提供一下表面具有掩模图案的光掩模,在所述光掩模的上表面边缘设置第一遮光层,以阻挡面光源在光掩模上形成的半影。本发明的方法通过在光掩模的上表面边缘设置第一遮光层,确保将面光源形成的半影阻挡在光掩模表面之上,一方面可以避免半影入射光掩模引起杂散光而使光掩模发热,另一方面可以避免半影曝光到晶圆上,影响晶圆曝光质量。
申请公布号 CN105093838A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410193657.4 申请日期 2014.05.09
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 刘洋
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 李仪萍
主权项 一种防止曝光系统中半影入射光掩模的方法,其特征在于,所述防止曝光系统中半影入射光掩模的方法至少包括:提供一下表面具有掩模图案的光掩模,在所述光掩模的上表面边缘设置第一遮光层,以阻挡面光源在光掩模上形成的半影。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号