| 发明名称 | 半导体装置、其制造方法和可变电阻存储器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置包括：半导体衬底；以及多个柱体，形成在所述半导体衬底中。所述多个柱体中的每个包括：第一柱体；以及第二柱体，形成在所述第一柱体上，其中，所述第二柱体具有小于所述第一柱体的线宽。 | ||
| 申请公布号 | CN105097933A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510087357.2 | 申请日期 | 2015.02.25 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 徐准敎;崔康植 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;周晓雨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体衬底；以及多个柱体，形成在所述半导体衬底中，其中，所述多个柱体中的每个包括：第一柱体；以及第二柱体，形成在所述第一柱体上，其中，所述第二柱体具有小于所述第一柱体的线宽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||