SOI器件新结构

摘要

本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中主要包括埋层结构，埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压；源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移区形成的耗尽区，漏端U型介质埋层通过积累大量正电荷来提高击穿电压。

主权项

一种SOI高压器件新结构，包括漂移区，埋氧层，衬底，其特征是影响击穿电压主要因素是漏端纵向击穿电压，并且埋氧层结构可以提SOI器件的击穿电压。