用于闪速存储器浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

一种用于改善闪速存储器“笑脸”效应的浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有隧穿氧化层和浮栅多晶硅层；在所述浮栅多晶硅层表面形成硬掩膜层，并依次刻蚀所述硬掩膜层、浮栅多晶硅层、隧穿氧化层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；采用原位蒸汽生成工艺形成覆盖所述浅沟槽表面的衬垫氧化层；采用化学气相淀积形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。通过本发明所提供的用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法可以有效的改善传统工艺所带来的浮栅隧穿氧化物的“笑脸”问题，提高闪速存储器的编程和擦除效率，增加闪速存储器擦除状态下的读电流，从而达到增大存储器窗口的目的。

主权项

一种用于闪速存储器的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有隧穿氧化层和浮栅多晶硅层；在所述浮栅多晶硅层表面形成硬掩膜层，并依次刻蚀所述浮栅多晶硅层、隧穿氧化层、半导体衬底，在所述半导体衬底内形成浅沟槽；采用原位蒸汽生成工艺形成覆盖所述浅沟槽表面的衬垫氧化层，所述原位蒸汽生成工艺的反应时间是1‑10s，形成所述衬垫氧化层的温度是900度至1200度；形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层。