发明名称 抛光衬底的方法和装置
摘要 一种抛光方法,用于将诸如半导体晶片的衬底抛光至平坦镜面光洁度。通过抛光装置实施抛光衬底的方法,该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台(100)、用于保持衬底并将衬底压抵抛光表面的顶圈(1)以及用于沿垂直方向移动顶圈(1)的可垂直移动机构(24)。在衬底压抵抛光表面之前,顶圈(1)移动至第一高度,且接着在衬底压抵抛光表面之后,顶圈(1)移动至第二高度。
申请公布号 CN102186627B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN200980141563.X 申请日期 2009.08.07
申请人 株式会社荏原制作所 发明人 福岛诚;户川哲二;齐藤真吾;井上智视
分类号 B24B37/04(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 B24B37/04(2012.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 王永建
主权项 一种通过抛光装置抛光衬底的方法,该抛光装置包括具有抛光表面的抛光台、用于保持衬底并将所述衬底压抵所述抛光表面的顶圈以及用于沿垂直方向移动所述顶圈的可垂直移动机构,所述顶圈包括构造成形成被供应加压流体的压力腔的至少一个弹性膜以及用于保持所述膜的顶圈本体,所述膜构造成当所述压力腔供应有所述加压流体时在流体压力下将所述衬底压抵所述抛光表面,所述方法包括:在所述衬底压抵所述抛光表面之前,将所述顶圈移动至第一高度;以及在预定压力下推压所述衬底,以使所述衬底与所述抛光表面接触,同时将所述顶圈维持在所述第一高度;在所述衬底压抵所述抛光表面之后并且在所述衬底压抵所述抛光表面的状态下,将所述顶圈移动至第二高度,然后在将所述顶圈维持在所述第二高度的状态下开始抛光处理;其中,所述第一高度等于处于0.1毫米至1.7毫米的范围中的第一膜高度,所述第一膜高度定义为在所述衬底附着至所述膜且由所述膜保持的状态下所述衬底与所述抛光表面之间的间隙,所述第二高度等于处于0.1毫米至2.7毫米的范围中的第二膜高度,所述第二膜高度定义为在所述衬底通过所述膜压抵所述抛光表面的状态下所述顶圈本体与所述膜之间的间隙,以及所述第一高度小于所述第二高度。
地址 日本东京