使用具有金属类前驱物的CVD与ALD工艺的NMOS金属栅极材料、制造方法以及设备

摘要

本发明的实施例大致提供沉积含金属材料和其组成物的方法。方法包括沉积工艺，其利用气相沉积工艺形成金属、金属碳化物、金属硅化物、金属氮化物和金属碳化物衍生物，包括热分解、化学气相沉积（CVD）、脉冲式CVD或原子层沉积（ALD）。在一实施例中，提供处理基板的方法，该方法包括沉积介电常数大于10的介电材料、于介电材料内形成特征结构定界、共形沉积功函数材料至特征结构定界的侧壁和底部上、以及沉积金属栅极填充材料至功函数材料上，以填充特征结构定界，其中功函数材料通过使化学式为MX_y的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M为钽、铪、钛和镧，X为选自由氟、氯、溴或碘所组成的组的卤化物，y为3至5。

主权项

一种处理基板的方法，包含下列步骤：沉积介电常数大于10的介电材料；于该介电材料内形成特征结构定界；共形沉积功函数材料至该特征结构定界的侧壁和底部上；以及沉积金属栅极填充材料至该功函数材料上，以填充该特征结构定界，其中该功函数材料通过使具有化学式MX_y的至少一金属卤化物前驱物反应而沉积，其中M是钽、铪、钛和镧，X选自由氟、氯、溴和碘所组成的组，而y是3至5；其中该金属栅极填充材料和该功函数材料是相同材料。