局部等离子体约束和压强控制装置及其方法

摘要

本发明提供了在衬底处理过程中在处理室内用于执行压强控制的装置。所述装置包括被配置成至少用于包围受约束的室容积的外围环，所述受约束的室容积被配置成用于在衬底处理过程中维持用于蚀刻所述衬底的等离子体。所述外围环包括被配置成至少用于在所述衬底处理过程中从所述受约束的室容积排出处理后副产品气体的多个槽。所述装置还包括被设置为紧靠所述外围环且被配置为包括多个槽的导通控制环。通过相对于所述外围环移动所述导通控制环使得所述外围环上的第一槽和所述导通控制环上的第二槽在零偏置到全偏置的范围中相对彼此偏置，使所述压强控制得以实现。

主权项

用于在衬底的处理过程中于等离子体处理系统的处理室内执行压强控制的装置，所述处理室包括处理室壁，包括：外围环，其被配置为至少用于包围受约束的室容积，所述受约束的室容积限定为上区域、侧区域和底区域，且所述外围环设置在所述处理室壁的内部，使得所述受约束的室容积不会超出所述处理室壁，其中所述受约束的室容积能够在衬底处理过程中维持用于蚀刻所述衬底的等离子体，所述外围环包括第一组槽，其中所述第一组槽被配置为至少用于在所述衬底处理过程中从所述受约束的室容积排出处理后副产品气体，其中所述第一组槽设置在所述受约束的室容积的上区域、底区域和侧区域中的至少一处；以及导通控制环，其中所述导通控制环被设置为紧靠所述外围环，其中所述外围环被嵌在所述导通控制环的里面使得所述导通控制环环绕所述外围环，所述导通控制环包括第二组槽，其中所述外围环和所述导通控制环的每一个是反向的C形，各自限定为上段、侧段以及下段，其中通过相对于所述外围环移动所述导通控制环使得所述外围环的所述第一组槽中的第一槽和所述导通控制环的所述第二组槽中的第二槽在零偏置到全偏置的范围中彼此相对偏置，使所述压强控制得以实现。