| 发明名称 | 用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物以及纹理蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物和纹理蚀刻方法。所述用于晶体硅片的纹理蚀刻溶液组合物包括碱性化合物；多糖；与多糖一起的最佳含量的硅化合物，以在晶体硅片的表面上均匀地形成具有微锥体结构的纹理，进而在降低光反射的同时最大化太阳能的吸收，从而提高发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103562344B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201280024303.6 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 东友精细化工有限公司 | 发明人 | 洪亨杓;李在连;朴勉奎 |
| 分类号 | C09K13/02(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杨黎峰;石磊 |
| 主权项 | 一种用于晶体硅片的纹理蚀刻组合物，按重量百分比计，包括：碱性化合物：0.1％至20％；多糖10<sup>‑9</sup>％至10％；硅化合物：10<sup>‑9</sup>％至10％的硅化合物；和水：余量至100％，其中，所述纹理蚀刻组合物还包括选自全氟烷基羧酸盐、全氟烷基磺酸盐、全氟烷基硫酸盐、全氟烷基磷酸盐、全氟烷基胺盐、全氟烷基季铵盐、全氟烷基羧基甜菜碱、全氟烷基磺基甜菜碱和氟烷基聚氧乙烯中的至少一种氟表面活性剂，上述各种氟表面活性剂在其各个烷基上具有1至30个碳原子。 | ||
| 地址 | 韩国全罗北道益山市 | ||