具有非对称栅极的矩阵电荷转移图像传感器

摘要

本发明涉及图像传感器，更具体地但不仅限于能够信号积分的扫描传感器（或TDI传感器，“时间延迟积分线性传感器”）。根据本发明，沿一列的相邻像素均包括至少一个光电二极管（PH1_i，PH2_i）和一个与所述光电二极管相邻的存储栅极（G1_i，G2_i）的交替。所述栅极包括主体和一系列窄指状物（20），所述一系列窄指状物（20）在电荷转移方向上的上游侧上而不在下游侧上且从所述主体向所述上游侧延伸，在所述上游侧上的所述指状物的末端与位于所述栅极的上游的光电二极管相邻，所述窄指状物通过第一导电类型的掺杂绝缘区域（18）而彼此分离，所述掺杂绝缘区域（18）的掺杂比所述表面区域的掺杂更高且所述掺杂绝缘区域优选地比所述表面区域更深，所述掺杂绝缘区域与所述表面区域一样被连接至所述有源层的所述基准电势，这些所述绝缘区域插置在所述栅极的所述主体与所述光电二极管之间。这些指状物感应所述电荷转移的方向性。

主权项

一种电荷转移图像传感器，所述传感器包括N个相邻的行，每行具有P个像素，属于两个连续行的同一列的相邻像素均包括至少一个光电二极管(PH1_i，PH2_i)和一个与所述光电二极管相邻的存储栅极(G1_i，G2_i)的交替，所述栅极覆盖第一导电类型的有源层区域(12)，所述光电二极管由第二导电类型的单独区域(14)形成在所述有源层内，所述单独区域(14)由第一类型的单独表面区域(16)所覆盖，所述单独表面区域(16)连接至所述有源层的基准电势，其特征在于：所述栅极包括主体和一系列窄指状物(20)，所述一系列窄指状物(20)在电荷转移方向上的上游侧上而不在下游侧上且从所述主体向所述上游侧延伸，在所述上游侧上的所述指状物的末端与位于所述栅极的上游的光电二极管相邻，所述窄指状物通过第一导电类型的掺杂绝缘区域(18)而彼此分离，所述掺杂绝缘区域(18)的掺杂比所述表面区域的掺杂更高，所述掺杂绝缘区域与所述表面区域一样被连接至所述有源层的所述基准电势，这些所述绝缘区域插置在所述栅极的所述主体与所述光电二极管之间。