LED外延层生长方法及所得LED外延片和芯片

摘要

本发明提供了一种LED外延层生长方法及所得LED外延片和芯片，包括以下步骤：S1步骤：在多量子阱层上生长超晶格层；S2步骤：在超晶格层上生长P型GaN层；超晶格层包括多个叠置的单元结构，每个单元结构由P型In_xGa_(1-x)N层和叠置于P型In_xGa_(1-x)N层上的P型Al_yGa_(1-y)N层组成；其中x＝0～0.2，y＝0～0.4，通过调整每个单元结构中的x＝0.2-a*(n-1)，y＝b*n，其中n为超晶格层中对应单元结构的序号，a为相邻单元结构的x差值，b为相邻单元结构的y差值，使得超晶格层的能带均呈阶梯变化。该方法能改善在大电流注入下的发光效率衰减问题，在提高LED芯片亮度的同时，降低其正向电压。

主权项

一种LED外延层生长方法，其特征在于，包括以下步骤：S1步骤：在多量子阱层上生长超晶格层；S2步骤：在所述超晶格层上生长P型GaN层；所述超晶格层包括多个叠置的单元结构，每个所述单元结构由P型In_xGa_(1‑x)N层和叠置于所述P型In_xGa_(1‑x)N层上的P型Al_yGa_(1‑y)N层组成；其中x＝0～0.2，y＝0～0.4，通过调整每个所述单元结构中的In和Al的掺杂浓度，使每个所述单元结构均满足x＝0.2‑a*(n‑1)，y＝b*n，其中n为所述单元结构的序号，a为相邻所述单元结构间的x差值，b为相邻所述单元结构间的y差值，使得所述超晶格层中能带均呈阶梯变化。