| 发明名称 | 高电子迁移率场效应晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)包括在栅极和漏极之间的漂移区域中的二维电子气(2DEG)，所述2DEG具有在所述漂移区域中沿从所述栅极至所述漏极的方向上逐渐增加的非均匀横向2DEG分布。 | ||
| 申请公布号 | CN105103296A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201380024745.5 | 申请日期 | 2013.05.09 |
| 申请人 | HRL实验室有限责任公司 | 发明人 | 萨梅·哈利勒;卡里姆·S·保特罗斯 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;崔利梅 |
| 主权项 | 一种高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)，包括：在栅极和漏极之间的漂移区域中的二维电子气(2DEG)，所述2DEG具有在所述漂移区域中沿从所述栅极至所述漏极的方向逐渐增大的非均匀横向2DEG分布。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||