| 发明名称 | 用于加工半导体工件的方法和半导体工件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于加工半导体工件的方法和半导体工件。根据各种实施例的用于加工半导体器件的方法可以包括：在半导体工件上方沉积第一金属化层；使所述第一金属化层形成图案；以及在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层，其中沉积所述第二金属化层包括无电沉积工艺，该无电沉积工艺包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中。 | ||
| 申请公布号 | CN105097562A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510231287.3 | 申请日期 | 2015.05.08 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | S.法伊斯;S.亨内克;E.纳佩奇尼希;I.尼基廷;D.佩多内;B.魏德冈斯 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种用于加工半导体工件的方法，包括：在半导体工件上方沉积第一金属化层；使所述第一金属化层形成图案；以及在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层，其中沉积所述第二金属化层包括无电沉积工艺，该无电沉积工艺包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||