发明名称 |
离子注入层光刻胶膜厚的优化方法 |
摘要 |
本发明公开了一种离子注入层光刻胶膜厚的优化方法,包括:提供一测试晶圆;在所述测试晶圆上形成光刻胶,光刻胶膜厚在所述测试晶圆上呈连续梯度分布;测量测试晶圆上不同位置处的光刻胶膜厚;将涂覆有光刻胶的测试晶圆划分为曝光显影区和离子注入测试区,对曝光显影区进行曝光显影并制作关键尺寸摇摆曲线;将预定能量的离子注入到离子注入测试区,并确定符合离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围;根据离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围和关键尺寸摇摆曲线中的极点,确定离子注入层光刻胶的最佳膜厚。本发明降低了测量晶圆的使用量,减少了工艺步骤,降低了测试晶圆的制作成本,同时找到最合适的光刻胶厚度点。 |
申请公布号 |
CN105097594A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510456455.9 |
申请日期 |
2015.07.29 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
甘志锋;毛智彪 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
智云 |
主权项 |
一种离子注入层光刻胶膜厚的优化方法,包括:步骤1:提供一测试晶圆;步骤2:在所述测试晶圆上形成光刻胶,光刻胶膜厚在所述测试晶圆上呈连续梯度分布;步骤3:测量测试晶圆上不同位置处的光刻胶膜厚;步骤4:将涂覆有光刻胶的测试晶圆划分为曝光显影区和离子注入测试区,对曝光显影区进行曝光显影并制作关键尺寸摇摆曲线;将预定能量的离子注入到离子注入测试区,并确定符合离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围;步骤5:根据离子注入阻挡要求的光刻胶膜厚范围和关键尺寸摇摆曲线中的极点,确定离子注入层光刻胶的最佳膜厚。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |