| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆正面依次形成吸气层和阻挡层；在所述阻挡层上形成电子元件层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的背面形成有凹槽；进行键合工艺，以将所述第一晶圆正面和所述第二晶圆背面相结合，形成密闭空腔。根据本发明提出的制作方法，在密闭空腔中形成新的防护结构，能使空腔的真空度得到很好的维持，进而提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105084295A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410172282.3 | 申请日期 | 2014.04.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;李广宁;沈哲敏 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆正面依次形成吸气层和阻挡层；在所述阻挡层上形成电子元件层；提供第二晶圆，所述第二晶圆的背面形成有凹槽；进行键合工艺，以将所述第一晶圆正面和所述第二晶圆背面相结合，形成密闭空腔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||