存储单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储单元及其制造方法，该存储单元包括基底、两个第一导电型掺杂区、一第二导电型掺杂区、两个叠层结构以及第一隔离结构。所述第一导电型掺杂区分别配置于所述基底中。所述第二导电型掺杂区配置于所述两个第一导电型掺杂区之间的所述基底中。所述叠层结构配置于所述基底上，分别覆盖所对应的第一导电型掺杂区以及部分的所述第二导电型掺杂区。所述叠层结构的每一者包括电荷储存层。所述第一隔离结构完全覆盖并接触所述第一导电型掺杂区的底面以及所述第二导电型掺杂区的底面。

主权项

一种存储单元，包括：一基底；两个第一导电型掺杂区，分别配置于该基底中；一第二导电型掺杂区，配置于所述两个第一导电型掺杂区之间的该基底中；两个叠层结构，配置于该基底上，分别覆盖所对应的第一导电型掺杂区以及部分的该第二导电型掺杂区，这些叠层结构的每一者包括一电荷储存层；以及一第一隔离结构，完全覆盖并接触这些第一导电型掺杂区的底面以及该第二导电型掺杂区的底面。