发明名称 |
有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板 |
摘要 |
本发明涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。该有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和沟道层,所述沟道层中形成有沟道,所述沟道中设有有机半导体层,所述有机半导体层上形成有图案,所述源极和漏极设置于所述沟道层上,并与所述有机半导体层连接。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性,因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中,其有机半导体层的厚度会更加均匀,而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列,也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好,因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。 |
申请公布号 |
CN105097945A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510404203.1 |
申请日期 |
2015.07.10 |
申请人 |
广州奥翼电子科技有限公司 |
发明人 |
王怡凯;高启仁;胡堂祥 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
王会龙 |
主权项 |
一种有机半导体薄膜晶体管,其包括源极、漏极和栅极,其特征在于,还包括沟道层,所述沟道层中形成有沟道,所述沟道中设有有机半导体层,所述有机半导体层上形成有图案,所述源极和漏极设置于所述沟道层上,并与所述有机半导体层连接。 |
地址 |
511458 广东省广州市南沙区西部工业区伟立路3号B栋 |