一种金属栅的制作方法

摘要

本发明提供一种金属栅的制作方法，在通过氩溅射工艺去除金属栅上的氧化层的同时，有效地保护有源区的镍-硅金属。首先提供半导体基底，在所述半导体基底上形成源极、漏极、金属栅极以及自对准硅化物层。接着进行如下步骤：沉积氧化铝薄膜；形成触孔蚀刻停止层；形成层间介电层；形成光阻层；进行接触孔的图形定义；去除所述光阻层和一部分触孔蚀刻停止层；进行氩溅射工艺，打开所述金属栅极自氧化形成的氧化铝层。最后进行接触孔金属沉积和化学机械研磨的步骤。

主权项

一种金属栅的制作方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成源极、漏极、金属栅极以及形成于源极、漏极、金属栅极表面的自对准硅化物层；在所述半导体基底上沉积氧化铝薄膜，以作为所述自对准硅化物层的保护层；形成触孔蚀刻停止层；形成层间介电层；形成光阻层；进行接触孔的图形定义；去除所述光阻层和一部分触孔蚀刻停止层；进行氩溅射工艺，去除所述金属栅极顶部的氧化铝薄膜和自氧化形成的氧化层。