在硅晶片上制备n⁺pp⁺型或p⁺nn⁺型结构的方法

摘要

本发明涉及在硅晶片上制备n⁺pp⁺型或p⁺nn⁺型结构的方法，包括如下步骤：a)在包括前表面（8）和背表面（9）的p型或n型硅晶片（1）的背表面（9）上，利用PECVD方法形成硼掺杂氧化硅层（BSG）（2），然后再形成SiO_x扩散阻挡层（3）；b)使磷源扩散，以便磷与硼进行共扩散并在步骤a）结束后获得的晶片的前表面（8）上形成磷掺杂氧化硅层（PSG）（4）和n⁺掺杂区（5）；在步骤a）结束后获得的晶片的背表面（9）上形成富硼区（BRL）（6）以及p⁺掺杂区（7）；c)去除BSG层（2）、PSG层（4）和SiO_x扩散阻挡层（3），使BRL层（6）氧化，除去所述氧化产生的层。本发明还涉及通过上述方法制得的具有n⁺pp⁺型或p⁺nn⁺型结构的硅晶片，以及使用上述硅晶片制备的光伏电池。

主权项

一种在硅晶片上制备n⁺pp⁺型或p⁺nn⁺型结构的方法，其特征在于，包括：步骤a)在包括前表面(8)和背表面(9)的p型或n型硅晶片(1)的背表面(9)上，进行PECVD处理，形成硼掺杂氧化硅层(BSG)(2)，然后再形成SiOx扩散阻挡层(3)；步骤b)使磷源扩散，以便磷与硼进行共扩散，并且‑在步骤a)结束后获得的晶片的前表面(8)上形成磷掺杂氧化硅层(PSG)(4)，和n⁺掺杂区(5)；‑以及在步骤a)结束后获得的晶片的背表面(9)上形成：富硼层(BRL)(6)，以及p⁺掺杂区(7)；步骤c)去除BSG层(2)、PSG层(4)和SiOx扩散阻挡层(3)，使BRL层(6)氧化，除去所述氧化产生的层。