发明名称 氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途
摘要 本发明涉及一种氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途,采用固相反应法合成化合物及助熔剂法生长晶体,所述的方法操作简单,成本低;所制备的晶体在空气中不潮解,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,易加工,适合于制作非线性光学器件。通过该方法获得的氟硼酸锶非线性光学晶体倍频效应约为3倍KDP,在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学晶体器件中可以得到广泛应用。
申请公布号 CN103590106B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201210293691.X 申请日期 2012.08.17
申请人 中国科学院新疆理化技术研究所 发明人 潘世烈;黄振军;田雪林
分类号 C30B29/10(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I 主分类号 C30B29/10(2006.01)I
代理机构 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 代理人 张莉
主权项 一种氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法,其特征在于采用助熔剂法制备晶体,具体操作步骤按下列步骤进行:a、将含锶、含氟、含硼化合物按化学式计量比称取放入研钵中,混合并仔细研磨,装入刚玉坩埚,放入马弗炉中,缓慢升温至300℃,恒温3小时,冷却至室温研磨均匀,缓慢升温至450℃,将气体排干净,待冷却后取出坩埚,将样品研磨均匀,再置于坩埚中,将马弗炉升温至630℃,恒温72‑96小时后将样品取出,放入研钵中捣碎研磨,即得氟硼酸锶Sr<sub>3</sub>B<sub>6</sub>O<sub>11</sub>F<sub>2</sub>化合物单相多晶粉末,再对该多晶粉末进行X射线分析;b、将步骤a中的氟硼酸锶Sr<sub>3</sub>B<sub>6</sub>O<sub>11</sub>F<sub>2</sub>化合物单相多晶粉末与助熔剂PbO、H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>、LiF或NaF或KF混合均匀,以温度30‑80℃/h的升温速率将其加热至890‑940℃,恒温20‑30小时,再冷却到860‑880℃,得到混合熔液,在温度840‑860℃条件下,快速下入籽晶杆到熔体内,待其产生漂晶,恒温0.5h漂晶不化,然后以温度0.5‑2℃/h的速率缓慢下降至温度830℃,然后将籽晶杆提出液面,以温度10‑50℃/h的速率降至室温,即可得到氟硼酸锶Sr<sub>3</sub>B<sub>6</sub>O<sub>11</sub>F<sub>2</sub>籽晶,其中氟硼酸锶Sr<sub>3</sub>B<sub>6</sub>O<sub>11</sub>F<sub>2</sub>与助熔剂H<sub>3</sub>BO<sub>3</sub>,PbO,LiF或NaF或KF的摩尔比为1∶4∶1∶2‑3;c、再按步骤b配制氟硼酸锶Sr<sub>3</sub>B<sub>6</sub>O<sub>11</sub>F<sub>2</sub>和助熔剂的进行混配,装入Φ80mm×80mm的开口铂坩埚中,放入晶体生长炉中,以温度30‑80℃/h的升温速率加热至890‑940℃,恒温20‑30小时,再冷却到温度860‑880℃,得到氟硼酸锶与助熔剂的混合熔液;d、将步骤b得到的籽晶固定于籽晶杆上,从晶体生长炉顶部下籽晶,先预热籽晶5‑60分钟,然后降温至840‑860℃,使籽晶与步骤c混合熔体表面接触或伸入至混合熔体中,以20‑50rpm的转速旋转籽晶杆,以温度1‑3℃/d的速率缓慢降温至晶体生长到所需尺寸;e、待单晶生长到所需尺度后,将晶体提离熔液表面,以温度20‑50℃/h的速率降至室温,然后将晶体从炉膛中取出,即可得到氟硼酸锶Sr<sub>3</sub>B<sub>6</sub>O<sub>11</sub>F<sub>2</sub>非线性光学晶体。
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