用于改进垂直场效应器件的封装的器件体系结构和方法

摘要

公开了半导体场效应器件，其利用与八边形或逆八边形栅极沟槽组合的八边形或逆八边形深沟槽超结。场效应器件实现了改进的封装密度、改进的电流密度以及改进的导通电阻，同时保持与本地的光掩模处理的45°角度的倍数的可兼容性，并且具有良好地特征化的（010）、（100）以及（110）（及其等效的）硅侧壁表面，用于选择性的外延重新填充以及栅极氧化，从而导致改进的可缩放性。通过使每个侧壁表面的相对长度变化，可以在没有附加的处理步骤的情况下实现具有不同阈值电压的器件。将沟槽与变化的侧壁长度混合还考虑到选择性外延重新填充期间的应力平衡。

主权项

一种垂直场效应器件，包括：半导体衬底，具有漏极电极；电荷补偿区，相邻于所述半导体衬底，具有以第一八边形几何形状连接的侧壁表面的第一集合；所述第一八边形几何形状具有顶点的第一集合；以栅极电极和源极电极金属化的第一表面；与所述源极电极和所述第一表面接触的源极区域；与p+体接触区域接触的体区域，与所述源极区域和所述电荷补偿区相邻；与所述栅极电极接触，相邻于所述电荷补偿区的栅极区；所述源极区域、所述体区域以及所述第一表面具有以第二八边形几何形状连接的侧壁表面的第二集合；所述第二八边形几何形状具有顶点的第二集合；所述顶点的第一集合具有45度的第一倍数；并且所述顶点的第二集合具有45度的第二倍数。