| 发明名称 | 一步模板法制备有序纳米点阵列的方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种一步模板法制备有序纳米点阵列的方法，包括：步骤101，选取衬底材料，并对该衬底材料进行前处理，得到衬底样品；步骤102，制备阳极氧化铝AAO模板；步骤103，将所述AAO模板平铺到所述衬底样品上，得到待刻蚀样品；步骤104，将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；步骤105，去除残留的AAO模板，得到有序的纳米点阵列；该方法利用AAO的底部障碍层图形结构转移至衬底上，无需传统的孔扩宽和通孔处理步骤，直接转移简便省时；利用离子束刻蚀机进行垂直轰击，无需引入有毒的化学反应气，制作方法无毒无害，对操作人员不会造成伤害，安全性高。 | ||
| 申请公布号 | CN105088304A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510487320.9 | 申请日期 | 2015.08.10 |
| 申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 张璋;张晓燕;高兴森;亢梦洋 |
| 分类号 | C25D11/04(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I;C03C15/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C25D11/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人 | 胡剑辉 |
| 主权项 | 一种一步模板法制备有序纳米点阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤101，选取衬底材料，并对该衬底材料进行前处理，得到衬底样品；步骤102，制备阳极氧化铝AAO模板；步骤103，将所述AAO模板平铺到所述衬底样品上，得到待刻蚀样品；步骤104，将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；步骤105，去除残留的AAO模板，得到有序的纳米点阵列。 | ||
| 地址 | 510631 广东省广州市天河区中山大道55号 | ||