发明名称 |
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置 |
摘要 |
本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板及装置,该方法包括在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤;其中,所述在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤,包括:在所述亲水的结构层的上表面形成亲油材料层;对所述亲油材料层进行图案化,去除待形成有机半导体层的区域之外的亲油材料,保留位于所述待形成有机半导体层的区域的亲油材料得到亲油层;采用亲油的有机材料利用湿法工艺在所述亲油层上形成有机半导体层。本发明提供的薄膜晶体管的制作方法,能够较为简单的实现薄膜晶体管的湿法制备。 |
申请公布号 |
CN105098074A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201510363671.9 |
申请日期 |
2015.06.26 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
李鸿鹏 |
分类号 |
H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
李相雨 |
主权项 |
一种薄膜晶体管的制作方法,包括在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤;其特征在于,所述在亲水的结构层上形成有机半导体层的步骤,包括:在所述亲水的结构层的上表面形成亲油材料层;对所述亲油材料层进行图案化,去除待形成有机半导体层的区域之外的亲油材料,保留位于所述待形成有机半导体层的区域的亲油材料得到亲油层;采用亲油的有机材料利用湿法工艺在所述亲油层上形成有机半导体层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |