倒装LED芯片的制造方法

摘要

本发明提供一种倒装LED芯片的制造方法，该方法中在光刻胶上覆盖金属叠层，剥离光刻胶上的金属叠层，采用二次反转剥离将剩余的上述金属叠层的最上层金属，或者最上层金属和部分次上层金属剥离，以将剩余的上述金属叠层上的DBR剥离，其中，选用金属材料作为剥离材料，不会对DBR的成膜温度及时间带来限制，可以采用合适的温度和周期对形成DBR，实现了DBR的高反射率、宽反射光谱范围、结构性能优良，进而获得了性能更稳定可靠的LED芯片；另外，通过对金属叠层进行部分剥离，可以使得剩余部分的金属叠层作为DBR的导电材料，节约了材料且简化了工艺。

主权项

一种倒装LED芯片的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成外延层，所述外延层自下而上包括：缓冲层、本征半导体层、第一半导体层、发光层、以及与第一半导体层电性相异的第二半导体层；去除部分所述第二半导体层、部分所述发光层以及部分所述第一半导体层，以使部分所述第一半导体层裸露，并在所述外延层侧面形成芯片间的隔离槽，其中，剩余部分的所述第二半导体层所在的区域作为第一区域，裸露部分的所述第一半导体层所在的区域作为第二区域；在所述第一区域的所述第二半导体层上形成电流扩展层；通过光刻在所述第一区域和所述第二区域上覆盖第一预设形状的光刻胶，其中，未被所述光刻胶覆盖的区域作为第三区域；在所述第一区域、第二区域以及第三区域上覆盖金属叠层，所述金属叠层由多个金属层构成；通过剥离去胶剥离位于所述光刻胶上的金属叠层，并在所述第一区域、第二区域以及第三区域上形成分布式布拉格反射层DBR；采用二次反转剥离将剩余的上述金属叠层的最上层金属，或者最上层金属和部分次上层金属剥离，以将剩余的上述金属叠层上的DBR剥离；在所述第一区域、第二区域以及第三区域上形成绝缘保护层，并将所述绝缘保护层蚀刻成第二预设形状；在所述绝缘保护层上形成金属焊线层。