一种解决离子注入机路径污染的方法

摘要

本发明提供一种解决离子注入机路径污染的方法，所述方法至少包括步骤：提供中轻原子量的离子作为离子源，调节离子注入机，使所述离子源被加速后在所经的路径上形成发散的离子束，所述离子束撞击路径内壁上的污染层，将污染层剥离；提供多个放置于离子注入机台上的控片，所述离子束及剥离后的污染层注入于所述控片中，完成所述污染层的去除。本发明提供的方法采用中轻原子量的离子作为离子源，通过离子源撞击路径内壁，可以有效去除离子束路径内壁上的污染物，解决离子注入机离子污染问题，减小机台注入剂量误差，提高机台的稳定性。

主权项

一种解决离子注入机路径污染的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：提供中轻原子量的离子作为离子源，调节离子注入机，使所述离子源被加速后在所经的路径上形成发散的离子束，所述离子束撞击路径内壁上的污染层，将污染层剥离；提供多个放置于离子注入机台上的控片，所述离子束及剥离后的污染层注入于所述控片中，完成所述污染层的去除。