一种VDMOS晶体管结构及其制作方法

摘要

本发明公开了SOI功率VDMOS场效应晶体管结构及其制造方法，所述VDMOS器件包括SOI衬底和外延层；位于外延层上方的栅极，所述栅极包括栅氧化层和多晶硅层；位于外延层内的阱区，以及位于阱区内的源区；位于所述栅极下方、外延层内的离子掺杂区；位于器件表面的绝缘应变层；位于绝缘应变层之上的层间介质，以及金属通孔。本发明中，通过所述离子掺杂区以增加栅极氧化层相对的外延层内耗尽层的宽度，降低所述栅极多晶硅层和所述漏极金属层间的电容值，提高VDMOS的开关速度；通过在器件表面覆盖一层绝缘应变层，由于该绝缘应变层与半导体材料的晶格不匹配，将在半导体表面引入应力，进而改变半导体表面的晶格常数，使得载流子迁移率增加，导通电阻降低。

主权项

一种SOI功率VDMOS 场效应晶体管的结构，包括：一个半导体衬底层100；位于半导体衬底之上的介质埋层120；位于介质埋层之上的外延层130；位于外延层之上的栅极结构300；位于栅极之下、外延层内部的离子掺杂区140；位于外延层内部的阱区200；位于阱区内部的源区210；位于器件表面的绝缘应变层400；位于应变层之上的层间介质层500；以及位于介质层内部的金属接触600。