| 发明名称 | 钝化层及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)上的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)。该钝化层的制造方法包括以下步骤：S01在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半导体基底之中的金属线(4)；S02在上述的非晶硅层(3)上沉积二氧化硅层(2)；S03在上述的二氧化硅层(2)上沉积氮氧化硅层(1)。本发明应用于半导体制造技术领域，可以提高半导体芯片的良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101976658B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201010297229.8 | 申请日期 | 2010.09.29 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 曾绍海;张伟;李铭 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种钝化层，其特征在于：包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)上的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)；其中，所述的金属线(4)为铜线；以及形成在所述金属线(4)与非晶硅层(3)交界面的金属硅化物。 | ||
| 地址 | 201210 上海市张江高斯路497号 | ||