| 发明名称 | 导电GaAs的晶体和衬底及它们的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种导电GaAs晶体，其具有超过1×10<sup>17</sup>个/cm<sup>3</sup>的Si原子浓度，其中在所述晶体中包含的尺寸为至少30nm的析出物的密度为400个/cm<sup>2</sup>以下。在这种情况下，优选的是，所述导电GaAs晶体具有至多2×10<sup>2</sup>个/cm<sup>2</sup>或至少1×10<sup>3</sup>个/cm<sup>2</sup>的位错密度。 | ||
| 申请公布号 | CN102292477B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201080005056.6 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 樱田隆;川濑智博 |
| 分类号 | C30B29/42(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈海涛;樊卫民 |
| 主权项 | 一种导电GaAs晶体，其具有超过1×10<sup>17</sup>个/cm<sup>3</sup>的Si原子浓度，其中在所述晶体中包含的尺寸为至少30nm的析出物的密度为至多400个/cm<sup>2</sup>。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||