发明名称 |
过电流保护元件 |
摘要 |
本发明涉及一过电流保护元件,包含二金属箔片、一PTC材料层以及一包覆材料层。PTC材料层叠设于该二金属箔片之间,且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)多种结晶性高分子聚合物,其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物;(ii)一导电镍金属填料,体积电阻值小于500μΩ-cm;及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中。该包覆材料层包覆PTC材料层与二金属箔片构成的芯片。包覆材料层由环氧树脂与具氨基化合物(amide)官能基的硬化剂反应而成。 |
申请公布号 |
CN102237164B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201010154845.8 |
申请日期 |
2010.04.26 |
申请人 |
聚鼎科技股份有限公司 |
发明人 |
沙益安;罗国彰;杨金标 |
分类号 |
H01C7/13(2006.01)I;H01C7/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01C7/13(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
一种过电流保护元件,其特征在于,包含:二金属箔片;一PTC材料层,叠设于该二金属箔片之间,且体积电阻值小于0.1Ω‑cm、可承受的电压为12V~28V,其包含:(i)多种结晶性高分子聚合物,其包含至少一具熔点低于115℃的结晶性高分子聚合物;(ii)一导电镍金属填料,其粒径大小介于0.1μm至15μm之间,体积电阻值小于500μΩ‑cm;及(iii)一非导电氮化金属填料,该非导电氮化金属填料的体积百分比介于1%至30%之间,其粒径大小介于0.1μm至30μm之间;其中该导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该多种结晶性高分子聚合物之中;以及一包覆材料层,包覆该二金属箔片及PTC材料层,且包含与硬化剂反应形成的环氧树脂,该硬化剂具氨基化合物官能基。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |