用于CPM后清除配方的新抗氧化剂

摘要

本发明涉及一种用于从其上带有化学机械抛光(CMP)后残留物和污染物的微电子装置中清除所述残留物和污染物的清除组合物和方法。该清除组合物含有新型缓蚀剂。该组合物实现了CMP后残留物和污染物材料从微电子装置表面上的高度有效的清除，而不损害低k介电材料或铜互连材料。

主权项

一种清除组合物，其由以下物质组成：水、至少一种缓蚀剂、至少一种季碱和至少一种有机胺，其中季碱与缓蚀剂的重量百分比率为0.1：1至10：1，以及有机胺与缓蚀剂的重量百分比率为0.1：1至10：1，其中所述至少一种缓蚀剂选自：葡萄糖醛酸、方形酸、腺苷及其衍生物、黄酮醇及其衍生物、花青素及其衍生物、栎精及其衍生物、及其组合，其中清除组合物对于从其上带有残留物的微电子装置上除去所述残留物是有效的，其中至少一种胺具有通式NR¹R²R³，式中R¹、R²和R³可以彼此相同或不同，选自氢、直链C₁‑C₆烷基、支链C₁‑C₆烷基、直链C₁‑C₆醇和支链C₁‑C₆醇，其中至少一种季碱具有通式NR¹R²R³R⁴OH，式中R¹、R²、R³和R⁴可以彼此相同或不同，选自氢、直链C₁‑C₆烷基、支链C₁‑C₆烷基、取代的C₆‑C₁₀芳基和未取代的C₆‑C₁₀芳基，以及其中残留物由化学机械抛光后残留物、蚀刻后残留物、灰化后残留物或其组合组成。