| 发明名称 | 具有电阻开关层的存储单元的组合 | ||
| 摘要 | 一种在三维的读写存储器中的存储器件，包括存储单元。每个存储单元包括与导引元件串联的电阻开关存储元件(RSME)。RSME具有在导电中间层两侧的第一电阻开关层和第二电阻开关层以及在RSME两端的第一电极和第二电极。第一电阻开关层和第二电阻开关层均可以具有双极或单极的开关特性。在存储单元的置位或复位操作中，离子电流在电阻切换层中流动，以有助于切换机制。由于导电中间层的散射，对切换机制没有帮助的电子流被减小，以避免损坏导引元件。提供了用于RSME的不同层的具体材料和材料的组合。 | ||
| 申请公布号 | CN103168372B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201180029544.5 | 申请日期 | 2011.06.10 |
| 申请人 | 桑迪士克3D有限责任公司 | 发明人 | 弗朗茨·克罗伊普尔;阿比吉特·班迪奥帕迪亚伊;陈荣庭;傅竹晨;维普尔·彭西里·贾亚塞卡拉;詹姆斯·凯;拉古维尔·S·马卡拉;彼得·拉布金;乔治·萨马基沙;张京燕 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种电阻开关存储单元，包括：电阻开关存储元件，所述电阻开关存储元件包括：第一电极(E1)和第二电极(E2)；串联在所述第一电极与所述第二电极之间的导电或半导电中间层(IL)；所述导电或半导电中间层包括n+Si、SiGe或ZrO<sub>x</sub>中至少之一；串联在所述第一电极与所述导电或半导电中间层之间的第一电阻开关层(RSL1)；以及串联在所述第二电极与所述导电或半导电中间层之间的第二电阻开关层(RSL2)，其中所述第二电极包括在TiN层上的Ti层；所述第二电阻开关层包括金属氧化物；以及在所述Ti层上形成有TiO<sub>x</sub>层，并且所述TiO<sub>x</sub>层与所述第二电阻开关层接触。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||